Dysk SSD Samsung 870 EVO 500GB SATA3 2,5'' 560/530 MZ-77E500B/EU
Dostępność: Dostępny
Czas wysyłki: 24 godziny
Numer katalogowy: NNNMZ-77E500B/EU
Kod producenta: MZ-77E500B/EU
Stan magazynowy:
Kod EAN: 8806090545924
Stan produktu: Nowy
Gwarancja: Gwarancja 60 miesięcy
Format dysku: 2,5"
Interfejs: SATA III
Pojemność dysku: 500GB
Producent: Samsung
Nominalny czas pracy: 1.5 mln h
Wysokość produktu: 7 mm
Seria: EVO
Rodzaj kości pamięci: MLC
Maksymalna prędkość zapisu: 530 MB/s
Maksymalna prędkość odczytu: 560 MB/s
Kod producenta: MZ-77E500B/EU
Model: 870 EVO
Pamięć podręczna: 512 MB
Zastosowane technologie: TRIM, S.M.A.R.T.
- Opis produktu
Najczęściej wybierany dysk SSD na świecie
Najnowszy model najlepiej sprzedającej się na świecie serii dysków półprzewodnikowych – 870 EVO – jak jego poprzednicy oferuje pionierską technologię SSD firmy Samsung. Ponadto zapewnia poprawioną wydajność, niezawodność i kompatybilność, dzięki czemu zaspokoi potrzeby wszystkich odbiorców: od twórców treści przez profesjonalistów z branży IT po zwykłych użytkowników.
Niezrównana wydajność
870 EVO osiąga maksymalny limit interfejsu SATA, czyli prędkości sekwencyjne wynoszące 560/530 MB/s. Zwykli użytkownicy mogą teraz cieszyć się SSD o prawdziwie profesjonalnej wydajności. Dysk wzmocniono dodatkowo technologią Inteligent TurboWrite z dużym buforem, która zapewnia wyższe prędkości zapisu i wydajność przez długi czas.
Niezawodność
Dysk 870 EVO zapewnia 2400 TBW w ramach 5-letniej gwarancji, spełniając tym samym najwyższe w branży standardy niezawodności. SSD bez trudu sprosta wielu zadaniom – od codziennego korzystania z komputera po przetwarzanie wideo 8K. Dysk został ponadto wyposażony w najnowszy VNAND 6. generacji oraz kontroler MKX, gwarantujące stabilną współpracę z urządzeniem-hostem.
Specyfikacja
Funkcje ogólne
- Zastosowanie Komputery osobiste
- Pojemność 500 GB (1 GB = 1 miliard bajtów wg IDEMA)
- Form Factor 2,5 cala
- Interfejs Interfejs SATA 6 Gb/s zgodny z interfejsem SATA 3 Gb/s i SATA 1,5 Gb/s
- Wymiary (SxWxG) 100 X 69,85 X 6,8 (mm)
- Waga Ok. 45g
- Pamięć zapisu Samsung V-NAND 3bit MLC
- Sterownik Samsung MKX Controller
- Pamieć podręczna Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAM
Dodatkowe właściwości
- Obsługa TRIM
- S.M.A.R.T Support
- Odśmiecanie Algorytm automatycznego odśmiecania pamięci
- Szyfrowanie 256-bitowe szyfrowanie AES (Klasa 0), TCG / Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany)
- Obsługa WWN
- Tryb uśpienia
Wydajność
- Odczyt sekwencyjny Do 560 MB/s
- Zapis sekwencyjny Do 530 MB/s
- Odczyt losowy (4KB, QD32) Do 98 000 operacji/s
- Zapis losowy (4KB, QD32) Do 88 000 operacji/s
- Odczyt losowy (4KB, QD1) Do 13 000 operacji/s
- Zapis losowy (4KB, QD1) Do 36 000 operacji/s
Środowisko
- Średni pobór mocy (poziom systemu) Średni: 2,2W; Maksymalny: 3,5W (tryb Burst)
- Pobór mocy (spoczynek) Maks. 30mW
- Dopuszczalne napięcie 5V ± 5%
- Średni czas bezawaryjnej pracy 1,5 mln godz.
- Temperatura pracy 0 - 70 ℃
- Odporność na wstrząsy 1,500 G / 0,5 ms
Gwarancja
- 5-letnia ograniczona gwarancja (300 TBW), producenta
